| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1081+ | 13.00 грн |
| 1133+ | 12.41 грн |
| 1143+ | 12.30 грн |
| 2000+ | 11.74 грн |
| 3000+ | 10.77 грн |
| 6000+ | 10.14 грн |
| 12000+ | 9.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC6100,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 800mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323F, Dauerkollektorstrom: 2.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SC6100,LF(T за ціною від 14.15 грн до 23.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC6100,LF(T | Toshiba |
 Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SC6100,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 800mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
2SC6100,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 800mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SC6100,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 603+ | 23.30 грн |
| 607+ | 23.18 грн |
| 746+ | 18.85 грн |
| 1000+ | 16.93 грн |
| 2000+ | 15.58 грн |
| 3000+ | 14.15 грн |
| 2SC6100,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC6100,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)