2SC6142(Q)

2SC6142(Q) Toshiba


20712sc6142_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 375V 1.5A 1100mW 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2 T/R
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 165
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6142(Q) Toshiba

Description: TRANS NPN 375V 1.5A PW-MOLD2, Packaging: Box, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 800mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Supplier Device Package: PW-MOLD2, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V, Power - Max: 1.1 W.

Інші пропозиції 2SC6142(Q)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC6142(Q) 2SC6142(Q) Виробник : Toshiba 20712sc6142_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 375V 1.5A 1100mW 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2 T/R
товар відсутній
2SC6142(Q) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6142_datasheet_en_20131101.pdf?did=1725&prodName=2SC6142 Description: TRANS NPN 375V 1.5A PW-MOLD2
Packaging: Box
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній