Технічний опис 2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SD1223(TE16L1,NQ) - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 1W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SD1223(TE16L1,NQ)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1223(TE16L1,NQ) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SD1223(TE16L1,NQ) - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 1W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1223(TE16L1,NQ) | module |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1223(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SD1223(TE16L1,NQ) - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SD1223(TE16L1,NQ) - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1223(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




