Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SD1223(TE16L1,NQ)
2SD1223(TE16L1,NQ)

2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1223.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: PW-MOLD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1223(TE16L1,NQ) за ціною від 24.87 грн до 97.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1223(TE16L1,NQ) 2SD1223(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+51.80 грн
100+35.96 грн
500+27.07 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1223(TE16L1,NQ) 2SD1223(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 2SD1223_datasheet_en_20131101-1916053.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.85 грн
10+63.03 грн
100+37.30 грн
250+37.23 грн
500+29.57 грн
1000+27.00 грн
2000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1223(TE16L1,NQ) Виробник : module 2SD1223.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1223(TE16L1,NQ) 2SD1223(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 15372sd1223_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1223(TE16L1,NQ) 2SD1223(TE16L1,NQ) Виробник : Toshiba 15372sd1223_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.