Технічний опис 2SD1898 T100Q ROHM
Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SD1898 T100Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1898T100Q | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 1A |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1898T100Q |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 1A
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 1A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


