2SD1898T100Q Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 15.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1898T100Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SD1898T100Q за ціною від 10.57 грн до 59.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1898T100Q | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1898T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD1898T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 3064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1898T100Q | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SD1898T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1898T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SD1898T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SD1898T100Q | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 1A |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1898 T100Q | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SD1898 T100Q | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |