| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 297+ | 43.75 грн |
| 309+ | 42.00 грн |
| 500+ | 40.49 грн |
| 1000+ | 37.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ168(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Case: SC59, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -0.2A, Power dissipation: 0.2W, On-state resistance: 2Ω, Gate-source voltage: ±20V, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції 2SJ168(TE85L,F) за ціною від 30.33 грн до 55.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ168(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC59 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.2A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 2Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 824 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|