на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 297+ | 41.27 грн |
| 309+ | 39.62 грн |
| 500+ | 38.19 грн |
| 1000+ | 35.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ168(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -0.2A, On-state resistance: 2Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: SC59, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 2SJ168(TE85L,F) за ціною від 28.71 грн до 67.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ168(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.2A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 |
на замовлення 861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SJ168(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.2A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SJ168(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |