на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 297+ | 41.87 грн |
| 309+ | 40.19 грн |
| 500+ | 38.74 грн |
| 1000+ | 36.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ168(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -200mA, Power dissipation: 0.2W, Case: SC59, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 2SJ168(TE85L,F) за ціною від 28.95 грн до 63.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ168(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -200mA Power dissipation: 0.2W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SJ168(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -200mA Power dissipation: 0.2W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SJ168(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |