на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.92 грн |
| 10+ | 53.60 грн |
| 100+ | 32.32 грн |
| 500+ | 27.00 грн |
| 1000+ | 22.93 грн |
| 3000+ | 20.44 грн |
| 6000+ | 19.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ168TE85LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SJ168TE85LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SJ168TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
2SJ168TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
2SJ168TE85LF Код товару: 101280
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|


