Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SJ168TE85LF
2SJ168TE85LF

2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.61 грн
6000+20.16 грн
9000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SJ168TE85LF за ціною від 21.33 грн до 88.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SJ168TE85LF 2SJ168TE85LF Виробник : Toshiba 2SJ168_datasheet_en_20140301-2328973.pdf MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.42 грн
10+59.14 грн
100+35.66 грн
500+29.79 грн
1000+25.29 грн
3000+22.55 грн
6000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168TE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168 Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.18 грн
10+53.41 грн
100+35.26 грн
500+25.78 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168TE85LF
Код товару: 101280
Додати до обраних Обраний товар

2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.