2SJ305(TE85L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SJ305(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SJ305(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 62.43 грн |
| 22+ | 40.88 грн |
| 100+ | 26.45 грн |
| 500+ | 18.74 грн |
| 1000+ | 15.60 грн |
| 5000+ | 11.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ305(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SJ305(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2SJ305(TE85L,F) за ціною від 11.78 грн до 62.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SJ305(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SJ305(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SJ305(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |