2SK1120
Код товару: 92839
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-3P
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/120
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1120
- MOSFET, N, TO-3P
- Transistor Type:MOSFET
- Max Current Id:8A
- Max Voltage Vds:1000V
- On State Resistance:1.8ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:150W
- Transistor Case Style:TO-3P
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-3P
- Cont Current Id:8A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:5.45mm
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:150W
- Pulse Current Idm:24A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:1000V
- Typ Voltage Vgs th:3.5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції 2SK1120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1120 | Виробник : TOSHIBA | 09+ |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2SK1120 | Виробник : Toshiba | MOSFETs TO3PN PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), |
товару немає в наявності |