Продукція > TOSHIBA > 2SK2009(TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)

2SK2009(TE85L,F) Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK2009(TE85L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції 2SK2009(TE85L,F) за ціною від 25.65 грн до 64.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK2009(TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) TOSHIBA 3622371.pdf Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) TOSHIBA 3622371.pdf Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 200mA; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
210+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) docget.pdf
2SK2009(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) 3622371.pdf
2SK2009(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) docget.pdf
2SK2009(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) 3622371.pdf
2SK2009(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F) docget.pdf
2SK2009(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 200mA; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.