Продукція > TOSHIBA > 2SK2009(TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)

2SK2009(TE85L,F) TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK2009(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SK2009(TE85L,F) за ціною від 27.32 грн до 67.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK2009(TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.52 грн
20+42.17 грн
100+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.52 грн
20+42.17 грн
100+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.