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Технічний опис 2SK2009(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Інші пропозиції 2SK2009(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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2SK2009(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SK2009(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SK2009(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SK2009(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)