2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V.
Інші пропозиції 2SK2009TE85LF за ціною від 12.33 грн до 56.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK2009TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V |
на замовлення 4592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK2009TE85LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V |
на замовлення 34295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|