2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.09 грн |
| 6000+ | 7.99 грн |
| 9000+ | 7.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK208-GR(TE85L,F) за ціною від 6.97 грн до 41.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
JFETs N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V |
на замовлення 5332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V |
на замовлення 14211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
2SK208 SMD N channel transistors |
на замовлення 8926 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2SK208-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |