2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.13 грн |
| 6000+ | 8.90 грн |
| 9000+ | 8.47 грн |
| 15000+ | 7.49 грн |
| 21000+ | 7.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.
Інші пропозиції 2SK208-GR(TE85L,F) за ціною від 8.80 грн до 57.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 6.5mA Power dissipation: 0.1W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
на замовлення 8371 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V |
на замовлення 21591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
JFETs N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V |
на замовлення 6477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V |
на замовлення 14565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA Durchbruchspannung Vbr: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V |
на замовлення 14565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 371 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 12.24 грн |
| 100+ | 11.75 грн |
| 250+ | 11.25 грн |
| 500+ | 10.75 грн |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 412+ | 34.29 грн |
| 457+ | 30.89 грн |
| 462+ | 30.58 грн |
| 643+ | 21.19 грн |
| 659+ | 19.14 грн |
| 875+ | 13.84 грн |
| 1375+ | 8.80 грн |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 34.53 грн |
| 25+ | 31.09 грн |
| 50+ | 30.78 грн |
| 100+ | 21.35 грн |
| 250+ | 19.27 грн |
| 500+ | 13.93 грн |
| 1000+ | 8.86 грн |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.84 грн |
| 12+ | 26.43 грн |
| 100+ | 16.91 грн |
| 500+ | 12.00 грн |
| 1000+ | 10.75 грн |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 371+ | 57.90 грн |
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
JFETs N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V
JFETs N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V
на замовлення 6477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 14565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 14565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SK208-GR(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






