Продукція > TOSHIBA > 2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA

3622372.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.52 грн
500+11.27 грн
1000+9.62 грн
5000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SK208-O(TE85L,F) за ціною від 8.77 грн до 50.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 3622372.pdf Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.92 грн
36+22.94 грн
100+15.52 грн
500+11.27 грн
1000+9.62 грн
5000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
13+23.60 грн
100+15.59 грн
500+11.57 грн
1000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+40.59 грн
500+26.19 грн
1000+17.33 грн
2000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED0705D6C22143&compId=2SK208.pdf?ci_sign=be1f441bc6946ed6f77ce30445627dd05597d905 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Case: SC59
Gate current: 10mA
Drain current: 1.4mA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.09 грн
15+26.52 грн
18+21.76 грн
68+13.26 грн
100+12.49 грн
500+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED0705D6C22143&compId=2SK208.pdf?ci_sign=be1f441bc6946ed6f77ce30445627dd05597d905 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Case: SC59
Gate current: 10mA
Drain current: 1.4mA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.51 грн
9+33.04 грн
11+26.12 грн
68+15.91 грн
100+14.99 грн
500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Транз. Пол. N-Channel JFET SOT-346-3 50V, 0,01A 0,1W Low noise
на замовлення 54 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2SK208_datasheet_en_20140301-1272543.pdf JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.