2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.28 грн |
| 500+ | 12.42 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
| 5000+ | 7.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK208-O(TE85L,F) за ціною від 7.69 грн до 47.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -50V Drain current: 1.4mA Gate current: 10mA Power dissipation: 0.1W |
на замовлення 10966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V |
на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS |
на замовлення 17745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -50V Drain current: 1.4mA Gate current: 10mA Power dissipation: 0.1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Транз. Пол. N-Channel JFET SOT-346-3 50V, 0,01A 0,1W Low noise |
на замовлення 54 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SK208-O(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V |
товару немає в наявності |