Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.37 грн
9000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.

Інші пропозиції 2SK208-O(TE85L,F) за ціною від 12.27 грн до 45.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA 2SK208.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -50V
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Mounting: SMD
на замовлення 10678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.94 грн
13+32.75 грн
15+28.34 грн
100+16.20 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 32623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
12+27.03 грн
50+19.70 грн
100+16.24 грн
500+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
516+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208.pdf
2SK208-O(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -50V
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Mounting: SMD
на замовлення 10678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.94 грн
13+32.75 грн
15+28.34 грн
100+16.20 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 32623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.99 грн
12+27.03 грн
50+19.70 грн
100+16.24 грн
500+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf
2SK208-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.