Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SK208-R(TE85L,F)
2SK208-R(TE85L,F)

2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.90 грн
6000+9.59 грн
9000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.

Інші пропозиції 2SK208-R(TE85L,F) за ціною від 11.54 грн до 52.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+20.11 грн
725+19.39 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+36.56 грн
598+23.50 грн
788+17.83 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.81 грн
100+23.67 грн
500+17.95 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 14298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
11+28.17 грн
100+18.09 грн
500+12.87 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 31438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) TOSHIBA 3622372.pdf Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 10327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) TOSHIBA 3622372.pdf Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 10327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
699+20.11 грн
725+19.39 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
385+36.56 грн
598+23.50 грн
788+17.83 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.81 грн
100+23.67 грн
500+17.95 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 14298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.95 грн
11+28.17 грн
100+18.09 грн
500+12.87 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
365+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 31438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 3622372.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 10327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 3622372.pdf
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 10327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.