Продукція > TOSHIBA > 2SK208-R(TE85L,F)
2SK208-R(TE85L,F)

2SK208-R(TE85L,F) Toshiba


32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SK208-R(TE85L,F) за ціною від 8.58 грн до 48.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.78 грн
6000+9.48 грн
9000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+11.26 грн
9000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+12.10 грн
9000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
610+20.93 грн
633+20.18 грн
1000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 610
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.90 грн
500+15.50 грн
1000+12.04 грн
5000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : Toshiba 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 10316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+39.49 грн
12+30.87 грн
100+17.56 грн
500+13.38 грн
1000+11.26 грн
3000+8.97 грн
6000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.21 грн
27+33.56 грн
100+21.90 грн
500+15.50 грн
1000+12.04 грн
5000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+42.45 грн
500+33.69 грн
1000+21.95 грн
3000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 15539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.54 грн
12+28.78 грн
100+18.43 грн
500+13.11 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.