
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.61 грн |
6000+ | 8.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK208-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-346, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK208-Y(TE85L,F) за ціною від 7.64 грн до 41.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SK208-Y(TE85L,F)" | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SK208-Y(TE85L,F)" | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SK208-Y(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SK208-Y(TE85L,F)" | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SK208-Y(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SK208-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
на замовлення 6966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SK208-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 17762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2SK208-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |