2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.00 грн |
| 6000+ | 9.69 грн |
| 9000+ | 8.81 грн |
| 15000+ | 8.18 грн |
| 21000+ | 7.89 грн |
| 30000+ | 7.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK209-BL(TE85L,F) за ціною від 9.29 грн до 50.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 14mA Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V |
на замовлення 55182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 14mA Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
JFETs N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA |
на замовлення 18952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |