Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SK209-BL(TE85L,F)
2SK209-BL(TE85L,F)

2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.42 грн
9000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V.

Інші пропозиції 2SK209-BL(TE85L,F) за ціною від 13.44 грн до 72.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba 2sk209datasheeten20140301.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) TOSHIBA 2SK209.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 14mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.43 грн
14+31.91 грн
50+22.27 грн
100+19.03 грн
500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 34531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.39 грн
50+21.43 грн
100+17.70 грн
500+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba 2sk209datasheeten20140301.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba 30355D1995CFC5FD7F5134CAE7011B31F6F2B1AF195B1E7B930355CDF8B53B0F.pdf JFETs N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
на замовлення 17524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2sk209datasheeten20140301.pdf
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
358+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209.pdf
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 14mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.43 грн
14+31.91 грн
50+22.27 грн
100+19.03 грн
500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 34531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.93 грн
11+29.39 грн
50+21.43 грн
100+17.70 грн
500+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2sk209datasheeten20140301.pdf
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
309+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 30355D1995CFC5FD7F5134CAE7011B31F6F2B1AF195B1E7B930355CDF8B53B0F.pdf
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
JFETs N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
на замовлення 17524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 3622373.pdf
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 3622373.pdf
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.