2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR T2SK209
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
100 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V.
Інші пропозиції 2SK209-GR(TE85L,F) за ціною від 10.17 грн до 73.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 43112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 6.5mA Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V |
на замовлення 19989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 43112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba |
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS |
на замовлення 43666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V |
на замовлення 4807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA Durchbruchspannung Vbr: 50V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V |
на замовлення 4807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 10.31 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.10 грн |
| 9000+ | 10.17 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.86 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 622+ | 22.81 грн |
| 645+ | 21.99 грн |
| 1000+ | 21.27 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 622+ | 22.81 грн |
| 645+ | 21.99 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 24.79 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 43112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 426+ | 33.35 грн |
| 504+ | 28.16 грн |
| 642+ | 22.11 грн |
| 1000+ | 18.78 грн |
| 3000+ | 14.59 грн |
| 6000+ | 13.45 грн |
| 9000+ | 11.55 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Gate-source voltage: -50V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 49.22 грн |
| 13+ | 33.40 грн |
| 25+ | 27.26 грн |
| 50+ | 23.18 грн |
| 100+ | 19.86 грн |
| 500+ | 16.12 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 19989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.03 грн |
| 10+ | 30.89 грн |
| 50+ | 22.59 грн |
| 100+ | 18.67 грн |
| 500+ | 14.21 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 43112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.74 грн |
| 23+ | 33.35 грн |
| 100+ | 28.16 грн |
| 500+ | 21.32 грн |
| 1000+ | 17.39 грн |
| 3000+ | 14.00 грн |
| 6000+ | 13.45 грн |
| 9000+ | 11.55 грн |
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
на замовлення 43666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)