2SK209-Y(TE85L,F)

2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.48 грн
6000+10.09 грн
9000+8.79 грн
15000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SK209-Y(TE85L,F) за ціною від 9.55 грн до 50.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 16266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.28 грн
11+28.82 грн
100+19.54 грн
500+13.95 грн
1000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 30355D1995CFC5FD7F5134CAE7011B31F6F2B1AF195B1E7B930355CDF8B53B0F.pdf JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.13 грн
12+31.47 грн
100+18.80 грн
500+14.40 грн
1000+12.81 грн
3000+10.46 грн
6000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
254+49.22 грн
500+33.27 грн
1000+22.75 грн
3000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.42 грн
25+34.18 грн
100+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F)
Код товару: 168494
Додати до обраних Обраний товар

2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.