2SK209-Y(TE85L,F)

2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.29 грн
6000+10.83 грн
9000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SK209-Y(TE85L,F) за ціною від 9.06 грн до 61.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
805+16.05 грн
835+15.47 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 30355D1995CFC5FD7F5134CAE7011B31F6F2B1AF195B1E7B930355CDF8B53B0F.pdf JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
на замовлення 5702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.35 грн
11+30.55 грн
100+17.43 грн
500+13.25 грн
1000+11.78 грн
3000+9.90 грн
6000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2014docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk209.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.55 грн
10+31.42 грн
100+20.20 грн
500+14.42 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.58 грн
22+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 3622373.pdf Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F)
Код товару: 168494
Додати до обраних Обраний товар
2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.