2SK3018 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.06 грн |
| 6000+ | 0.90 грн |
| 9000+ | 0.83 грн |
| 15000+ | 0.72 грн |
| 21000+ | 0.68 грн |
| 30000+ | 0.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3018 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Power Dissipation (Max): 200mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V.
Інші пропозиції 2SK3018 за ціною від 1.04 грн до 7.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SK3018 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SK3018 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SK3018 | Виробник : kuu semiconductor |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUUкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SK3018 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs |
товару немає в наявності |