Продукція > SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD. > 2SK3018
2SK3018

2SK3018 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

5399_2SK3018%20SOT-23.PDF Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.07 грн
6000+0.90 грн
9000+0.84 грн
15000+0.72 грн
21000+0.68 грн
30000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3018 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2SK3018 за ціною від 1.02 грн до 7.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3018 2SK3018 Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF Description: 30V 100MA 8@4.5V,50MA 200MW 2V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.38 грн
96+3.32 грн
156+2.04 грн
500+1.37 грн
1000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 Виробник : HT Jinyu Semiconductor 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9091+1.34 грн
60000+1.16 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 9091
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 Виробник : kuu semiconductor 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 Виробник : ROHM Semiconductor 5399_2SK3018%20SOT-23.PDF MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.