Продукція > TOSHIBA > 2SK3075(TE12L,Q)
2SK3075(TE12L,Q)

2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA


TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+765.92 грн
10+686.91 грн
50+598.01 грн
200+526.12 грн
500+460.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 520MHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SK3075(TE12L,Q) за ціною від 460.25 грн до 765.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Виробник : TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+765.92 грн
10+686.91 грн
50+598.01 грн
200+526.12 грн
500+460.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q)
Код товару: 30852
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Виробник : Toshiba 2216docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk3075.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin PW-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Виробник : Toshiba 2SK3075_datasheet_en_20140301.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.