Інші пропозиції 2SK3075(TE12L,Q) за ціною від 510.89 грн до 913.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMDtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : Toshiba |
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 20W Case: TO271AA Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel Frequency: 520MHz Kind of channel: depletion Output power: 7.5W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 11.7dB Efficiency: 50% |
товару немає в наявності |