2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 729.02 грн |
| 10+ | 653.81 грн |
| 50+ | 569.20 грн |
| 200+ | 500.76 грн |
| 500+ | 438.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 520MHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK3075(TE12L,Q) за ціною від 438.07 грн до 729.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SK3075(TE12L,Q) Код товару: 30852
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin PW-X T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : Toshiba |
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2SK3075(TE12L,Q) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 20W Case: TO271AA Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel Frequency: 520MHz Kind of channel: depletion Output power: 7.5W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 11.7dB Efficiency: 50% |
товару немає в наявності |