Інші пропозиції 2SK3700(F) транзистор за ціною від 93.28 грн до 228.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3700(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3PInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P(N) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SK3700(F) | Toshiba |
MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
2SK3700(F) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
2SK3700(F) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SK3700(F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.61 грн |
| 10+ | 143.28 грн |
| 50+ | 110.07 грн |
| 100+ | 93.28 грн |
| 2SK3700(F) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF
MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SK3700(F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SK3700(F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1,3 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-1R3-Hitano) Код товару: 183082
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 1,3 Ом
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., Вт: 3 Вт
U, роб.: 500 В
Габарити: 15x5 мм; D вив. = 0,76 мм
Тип: метало-оксидні мініатюрні
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 1,3 Ом
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., Вт: 3 Вт
U, роб.: 500 В
Габарити: 15x5 мм; D вив. = 0,76 мм
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 2696 шт
- 2323 шт - склад
- 160 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 195 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.40 грн |
| 1000+ | 2.00 грн |
| UC3843BN (DIP-8, ST) ШІМ-контролер Код товару: 4077
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери Von=8.4V Vof=7.6V, шпаруватість 100%, 0...+70°C, 1A, 8,2-30V, 500kHz
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 700 кГц
Темп. діапазон: 0…+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери Von=8.4V Vof=7.6V, шпаруватість 100%, 0...+70°C, 1A, 8,2-30V, 500kHz
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 700 кГц
Темп. діапазон: 0…+70°С
у наявності: 102 шт
- 87 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.60 грн |
| 100+ | 11.30 грн |