2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 157.30 грн |
| 10+ | 139.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3799(Q,M) TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD, Version: ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Case: TO220FP, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 60nC, On-state resistance: 1Ω, Drain current: 8A, Drain-source voltage: 900V, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 50W, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції 2SK3799(Q,M) за ціною від 157.72 грн до 157.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3799(Q,M) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
2SK3799(Q,M) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SK3799(Q,M) |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 157.72 грн |
| 2SK3799(Q,M) |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)