Продукція > TOSHIBA > 2SK3799(Q,M)
2SK3799(Q,M)

2SK3799(Q,M) TOSHIBA

2SK3799.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.68 грн
10+143.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3799(Q,M) TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD, Version: ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Case: TO220FP, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 60nC, On-state resistance: 1Ω, Drain current: 8A, Drain-source voltage: 900V, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 50W, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції 2SK3799(Q,M)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3799(Q,M) Toshiba Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Toshiba 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 (Q,M) 2SK3799 (Q,M) Toshiba 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M)
Виробник: Toshiba
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M) 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf
2SK3799(Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 (Q,M) 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf
2SK3799 (Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.