Продукція > TOSHIBA > 2SK3799(Q,M)
2SK3799(Q,M)

2SK3799(Q,M) Toshiba

docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+148.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3799(Q,M) Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 8A, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 50W, Gate charge: 60nC, Version: ESD, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції 2SK3799(Q,M) за ціною від 119.53 грн до 216.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EDA9F1FD5C6143&compId=2SK3799.pdf?ci_sign=992013e7cacd9c4e8e0170060c7843e36a6d87d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 60nC
Version: ESD
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.19 грн
10+132.89 грн
50+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EDA9F1FD5C6143&compId=2SK3799.pdf?ci_sign=992013e7cacd9c4e8e0170060c7843e36a6d87d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 60nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.45 грн
3+187.16 грн
10+159.47 грн
50+143.43 грн
250+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Виробник : Toshiba 82sk3799_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q,M) 2SK3799(Q,M) Виробник : Toshiba 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 (Q,M) 2SK3799 (Q,M) Виробник : Toshiba 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.