Продукція > TOSHIBA > 2SK3799(Q,M)
2SK3799(Q,M)

2SK3799(Q,M) TOSHIBA

2SK3799.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.71 грн
10+140.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3799(Q,M) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 8, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 50, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції 2SK3799(Q,M)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK3799 Toshiba MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 2SK3799 TOSHIBA 55593.pdf Description: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799
Виробник: Toshiba
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799 55593.pdf
2SK3799
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.