
2SK4161D Sanken Electric Company, Ltd.
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 331.46 грн |
44+ | 280.62 грн |
58+ | 213.52 грн |
200+ | 194.13 грн |
500+ | 157.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK4161D Sanken Electric Company, Ltd.
Description: MOS FET 60V/100A/0.0038, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2SK4161D
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2SK4161D | Виробник : Sanken Electric Co. |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
2SK4161D | Виробник : Sanken Electric USA Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |