2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: JFET N-CH USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.84 грн |
| 6000+ | 8.99 грн |
| 9000+ | 8.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK879-GR(TE85L,F) за ціною від 8.17 грн до 43.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V |
на замовлення 10700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R |
товару немає в наявності |