2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.78 грн |
| 6000+ | 8.94 грн |
| 9000+ | 8.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK879-GR(TE85L,F) за ціною від 8.44 грн до 47.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 125°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH USM Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Power - Max: 100 mW Part Status: Active Supplier Device Package: USM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 10700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA |
на замовлення 10315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|