Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.51 грн
6000+8.70 грн
9000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.

Інші пропозиції 2SK879-GR(TE85L,F) за ціною від 9.62 грн до 27.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba 24docget.jsppid2sk879langentypedatasheet.jsppid2sk879langentypedata.pdf Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1032+13.62 грн
1070+13.14 грн
1090+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: JFET N-CH USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.71 грн
13+23.27 грн
100+16.15 грн
500+11.83 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba EA0116FA281EEE734004EC8EC510FA6C60983089E47B7F290042883296BBDC1A.pdf JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) TOSHIBA 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) TOSHIBA 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 24docget.jsppid2sk879langentypedatasheet.jsppid2sk879langentypedata.pdf
2SK879-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1032+13.62 грн
1070+13.14 грн
1090+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
2SK879-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
13+23.27 грн
100+16.15 грн
500+11.83 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) EA0116FA281EEE734004EC8EC510FA6C60983089E47B7F290042883296BBDC1A.pdf
2SK879-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
2SK879-GR(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
2SK879-GR(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.