2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 0.1W USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.51 грн
6000+8.70 грн
9000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V.

Інші пропозиції 2SK879-Y(TE85L,F) за ціною від 9.62 грн до 27.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: JFET N-CH 0.1W USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.71 грн
13+23.27 грн
100+16.15 грн
500+11.83 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) TOSHIBA 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) TOSHIBA 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 0.1W USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
13+23.27 грн
100+16.15 грн
500+11.83 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
Виробник: Toshiba
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK879-Y(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.