2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 0.1W USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 0.1W USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.9 грн |
6000+ | 8.14 грн |
9000+ | 7.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 0.1W USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 125°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V, Supplier Device Package: USM, Part Status: Active, Power - Max: 100 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V.
Інші пропозиції 2SK879-Y(TE85L,F) за ціною від 7.39 грн до 28.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK879-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 0.1W USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
на замовлення 23488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SK879-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA |
на замовлення 5547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SK879-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans JFET N-CH Si 3-Pin USM T/R |
товар відсутній |