Продукція > TOSHIBA > 2SK880-GR(TE85L,F)

2SK880-GR(TE85L,F) Toshiba


2012docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk880.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf
Виробник: Toshiba
Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R
на замовлення 29540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
556+25.40 грн
725+19.47 грн
1000+17.59 грн
3000+14.61 грн
6000+11.93 грн
12000+10.89 грн
24000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK880-GR(TE85L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V.

Інші пропозиції 2SK880-GR(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK880-GR(TE85L,F) 2SK880-GR(TE85L,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-GR(TE85L,F) 2SK880-GR(TE85L,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-GR(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-GR(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.