
на замовлення 29540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
556+ | 21.96 грн |
725+ | 16.84 грн |
1000+ | 15.21 грн |
3000+ | 12.63 грн |
6000+ | 10.31 грн |
12000+ | 9.41 грн |
24000+ | 9.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK880-GR(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK880-GR(TE85L,F) за ціною від 12.95 грн до 49.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SK880-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2SK880-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2SK880-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |