на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 474+ | 26.10 грн |
| 615+ | 20.09 грн |
| 1000+ | 18.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK880-Y(TE85L,F) за ціною від 12.19 грн до 67.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK880-Y(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °CtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 125°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK880-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK880-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK880-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
JFETs N-Ch Audio Amp Fet 15mS 1.0db 10V 0.5mA |
на замовлення 28192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK880-Y(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK880-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK880-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SK880-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V USM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
товару немає в наявності |