2V7002LT1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2V7002LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2V7002LT1G за ціною від 2.83 грн до 17.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2V7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 441000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 441000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 25504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 25504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G Код товару: 154370
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| 2V7002LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002LT1G T2V7002кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
2V7002LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET 60V 115MA 7.5O |
товару немає в наявності |





