Результат пошуку "320n-4" : 6
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ESPC3-20-N4 CE/ | DOIT |
Wi-Fi 802.11 b/g/n + Bluetooth 5.0 LE Module based on the ESP32-C3 IC, 4MB-FLASH, 400kB-SRAM, UART/SPI/I2C/GPIO/SDIO/PWM 3?3.6V, -40?85°C, dimensions 20?18?3mm, SMT 18pad package, on-board PCB antenna ESPC3-20-N4 DOIT (compatible with ESP32-C3-WROOM-02-N кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STH320N4F6-6 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STL320N4LF8 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
STL320N4F8 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STL320N4LF8 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 360A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 188W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STL320N4LF8 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 360A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 188W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
ESPC3-20-N4 CE/ |
Виробник: DOIT
Wi-Fi 802.11 b/g/n + Bluetooth 5.0 LE Module based on the ESP32-C3 IC, 4MB-FLASH, 400kB-SRAM, UART/SPI/I2C/GPIO/SDIO/PWM 3?3.6V, -40?85°C, dimensions 20?18?3mm, SMT 18pad package, on-board PCB antenna ESPC3-20-N4 DOIT (compatible with ESP32-C3-WROOM-02-N
кількість в упаковці: 5 шт
Wi-Fi 802.11 b/g/n + Bluetooth 5.0 LE Module based on the ESP32-C3 IC, 4MB-FLASH, 400kB-SRAM, UART/SPI/I2C/GPIO/SDIO/PWM 3?3.6V, -40?85°C, dimensions 20?18?3mm, SMT 18pad package, on-board PCB antenna ESPC3-20-N4 DOIT (compatible with ESP32-C3-WROOM-02-N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 118.52 грн |
STH320N4F6-6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET
MOSFETs N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 370.78 грн |
10+ | 281.73 грн |
100+ | 189.81 грн |
500+ | 178.77 грн |
1000+ | 161.85 грн |
STL320N4LF8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
MOSFETs N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 238.61 грн |
10+ | 179.36 грн |
100+ | 108.88 грн |
500+ | 93.43 грн |
1000+ | 91.96 грн |
3000+ | 79.45 грн |
STL320N4LF8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STL320N4LF8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.