Продукція > TOSHIBA > 3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F) Toshiba


Виробник: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3SK291(TE85L,F) Toshiba

Description: RF MOSFET 6V SMQ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-61AA, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 800MHz, Configuration: N-Channel Dual Gate, Gain: 22.5dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 2.5dB, Supplier Device Package: SMQ, Voltage - Rated: 12.5 V, Voltage - Test: 6 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції 3SK291(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.