IRFL214 Vishay/IR


sihfl214.pdf Виробник: Vishay/IR

на замовлення 70 шт:

термін постачання 5 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL214 Vishay/IR

Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFL214

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFL214 IRFL214
Код товару: 1077
Виробник : IR sihfl214.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,79 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRFL214 IRFL214 Виробник : Vishay Siliconix sihfl214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFL214 IRFL214 Виробник : Vishay / Siliconix sihfl214.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL214TRPBF
товар відсутній