IRFL214
Код товару: 1077
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,79 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL214 IR
- MOSFET, N SOT-223
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:0.79A
- On State Resistance:2ohm
- Case Style:SOT-223
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:250V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation:3.1W
- Power Dissipation Pd:3.1W
- Pulse Current Idm:6.3A
- SMD Marking:FL214
- Voltage Vds:250V
- Transistor Case Style:SOT-223
Інші пропозиції IRFL214
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL214 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFL214 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL |
товару немає в наявності |