IRLML2502TRPBF IR/Infineon
Код товару: 25595
Виробник: IR/InfineonUds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 2729 шт:
2483 шт - склад
84 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Одеса
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 10 грн |
10+ | 9 грн |
100+ | 8.2 грн |
1000+ | 7.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2502TRPBF за ціною від 4.82 грн до 37.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 41260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2577 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 41260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
на замовлення 94678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl |
на замовлення 387796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 986 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm |
на замовлення 6044 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 |
на замовлення 260 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | IRLML2502TRPBF Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLML6402TRPBF Код товару: 27968 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10432 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
1000+ | 6.5 грн |
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453 |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 46937 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.1 грн |
1000+ | 0.08 грн |
10000+ | 0.04 грн |
IRLML6401TRPBF Код товару: 34344 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 12 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 12 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 9564 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.6 грн |
100+ | 3.2 грн |
1000+ | 2.9 грн |
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147 |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 91206 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.9 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.5 грн |
10000+ | 0.4 грн |