IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
Виробник: IRКорпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 17351 шт:
17096 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML6401TRPBF за ціною від 4.50 грн до 59.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 104970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 5432 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 64114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 104970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF |
MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF |
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 992 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Виробник : Taiwan TY Semiconductor |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
на замовлення 5079 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Виробник : VBSEMI |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
на замовлення 590 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 340400 шт
340400 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 199207 шт
189964 шт - склад
3644 шт - РАДІОМАГ-Київ
2910 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
2665 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3644 шт - РАДІОМАГ-Київ
2910 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
2665 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| IRLML6244TRPBF Код товару: 87248
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6210 шт
5795 шт - склад
173 шт - РАДІОМАГ-Київ
81 шт - РАДІОМАГ-Львів
86 шт - РАДІОМАГ-Харків
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
173 шт - РАДІОМАГ-Київ
81 шт - РАДІОМАГ-Львів
86 шт - РАДІОМАГ-Харків
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 141741 шт
138790 шт - склад
2151 шт - РАДІОМАГ-Київ
800 шт - РАДІОМАГ-Харків
2151 шт - РАДІОМАГ-Київ
800 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |







