IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML6401TRPBF за ціною від 2.96 грн до 44.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6401TRPBF | TYS |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 678 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 31956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 153173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 31956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1870 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 130 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF |
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 992 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: TYS
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 678 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 2.96 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4406+ | 8.02 грн |
| 10000+ | 7.17 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.03 грн |
| 6000+ | 8.24 грн |
| 9000+ | 7.95 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 817+ | 17.33 грн |
| 847+ | 16.72 грн |
| 1075+ | 13.16 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 31956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.67 грн |
| 250+ | 15.95 грн |
| 1000+ | 10.92 грн |
| 3000+ | 7.01 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 153173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 587+ | 24.12 грн |
| 593+ | 23.88 грн |
| 601+ | 23.54 грн |
| 829+ | 16.46 грн |
| 862+ | 14.67 грн |
| 1102+ | 11.01 грн |
| 2159+ | 5.62 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.68 грн |
| 15+ | 21.30 грн |
| 100+ | 13.47 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| 1000+ | 8.39 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.76 грн |
| 16+ | 20.26 грн |
| 100+ | 12.26 грн |
| 500+ | 9.30 грн |
| 1000+ | 8.32 грн |
| 3000+ | 6.55 грн |
| 6000+ | 5.71 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 41.09 грн |
| 31+ | 24.99 грн |
| 33+ | 23.55 грн |
| 100+ | 16.71 грн |
| 250+ | 14.93 грн |
| 500+ | 11.28 грн |
| 1000+ | 5.82 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 43.47 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 31956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 44.40 грн |
| 50+ | 18.67 грн |
| 250+ | 15.95 грн |
| 1000+ | 10.92 грн |
| 3000+ | 7.01 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 130 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 6.46 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 992 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3289 шт
- 1409 шт - склад
- 936 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 484 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 118991 шт
- 109262 шт - склад
- 3284 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1440 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3940 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1065 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| IRLML6244TRPBF Код товару: 87248
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2412 шт
- 2161 шт - склад
- 170 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 81 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 111180 шт
- 107580 шт - склад
- 3600 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4958 шт
- 4957 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 600 шт
- 600 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |









