Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLML2502TRPBF IR/Infineon
IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF IR/Infineon

infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
Код товару: 25595
Виробник: IR/Infineon
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 5185 шт:
5038 шт - склад
67 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
5+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLML2502TRPBF за ціною від 5.86 грн до 46.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3239irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.30 грн
6000+7.27 грн
9000+6.90 грн
15000+6.09 грн
21000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.44 грн
250+15.11 грн
1000+11.19 грн
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
442+29.43 грн
461+28.24 грн
500+27.23 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 442
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.71 грн
50+26.44 грн
250+15.11 грн
1000+11.19 грн
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.59 грн
27+27.92 грн
52+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.43 грн
27+28.21 грн
100+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : UMW infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLML2502_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3239irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon (IRF) irlml2502gpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 45mΩ
Gate charge: 8nC
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2943 шт
34 шт - склад
950 шт - РАДІОМАГ-Київ
440 шт - РАДІОМАГ-Львів
994 шт - РАДІОМАГ-Харків
525 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
6+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 30181 шт
25430 шт - склад
2951 шт - РАДІОМАГ-Київ
1800 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 205000 шт
5000 шт - очікується
200000 шт - очікується
Кількість Ціна
400+0.15 грн
1000+0.12 грн
10000+0.09 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
Додати до обраних Обраний товар

irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3509 шт
3427 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 15100 шт
100 шт - очікується
15000 шт - очікується
Кількість Ціна
13+4.00 грн
14+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 66437 шт
55905 шт - склад
5830 шт - РАДІОМАГ-Київ
3227 шт - РАДІОМАГ-Львів
1475 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
60+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.