IRLML2502TRPBF IR/Infineon
Код товару: 25595
5
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR/Infineon
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 4,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 11624 шт
- 11539 шт - склад
- 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 247 шт
- 247 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 1000+ | 10.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2502TRPBF за ціною від 5.09 грн до 52.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2502TRPBF | International Rectifier |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 484 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF |
IRLML2502TRPBF Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | UMW |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 5.09 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 443+ | 31.90 грн |
| 682+ | 20.70 грн |
| 689+ | 20.49 грн |
| 905+ | 15.05 грн |
| 1022+ | 12.34 грн |
| 3000+ | 7.78 грн |
| 6000+ | 6.64 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 43.26 грн |
| 16+ | 26.44 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.68 грн |
| 24+ | 32.55 грн |
| 25+ | 32.22 грн |
| 50+ | 30.76 грн |
| 100+ | 18.48 грн |
| 250+ | 17.56 грн |
| 500+ | 13.38 грн |
| 1000+ | 11.85 грн |
| 3000+ | 7.78 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.74 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.44 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 3,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 633/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 3,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 633/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 7180 шт
- 5589 шт - склад
- 47 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 321 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 878 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 345 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 13300 шт
- 13000 шт - склад
- 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
- 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 252091 шт
- 222940 шт - склад
- 13751 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9400 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 19034 шт
- 10777 шт - склад
- 3990 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 767 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 148000 шт
- 148000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |








