
IRLML2502TRPBF IR/Infineon

Код товару: 25595
Виробник: IR/InfineonUds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 4792 шт:
3867 шт - склад
192 шт - РАДІОМАГ-Київ
135 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Харків
198 шт - РАДІОМАГ-Одеса
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10.00 грн |
10+ | 9.00 грн |
100+ | 8.20 грн |
1000+ | 7.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2502TRPBF за ціною від 5.14 грн до 37.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 19143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 4476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 19143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
на замовлення 27092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 243534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 986 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 5863 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon (IRF) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 8nC On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3652 шт
3298 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
172 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
96 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
172 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
96 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 9.00 грн |
10+ | 8.00 грн |
100+ | 7.20 грн |
1000+ | 6.50 грн |
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 60119 шт
42753 шт - склад
3530 шт - РАДІОМАГ-Київ
3370 шт - РАДІОМАГ-Львів
3380 шт - РАДІОМАГ-Харків
3806 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3280 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3530 шт - РАДІОМАГ-Київ
3370 шт - РАДІОМАГ-Львів
3380 шт - РАДІОМАГ-Харків
3806 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3280 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.90 грн |
100+ | 0.70 грн |
1000+ | 0.50 грн |
10000+ | 0.40 грн |
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 180329 шт
168260 шт - склад
450 шт - РАДІОМАГ-Київ
1194 шт - РАДІОМАГ-Львів
1986 шт - РАДІОМАГ-Харків
3939 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
450 шт - РАДІОМАГ-Київ
1194 шт - РАДІОМАГ-Львів
1986 шт - РАДІОМАГ-Харків
3939 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.10 грн |
1000+ | 0.08 грн |
10000+ | 0.04 грн |
IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 12 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 12 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 24975 шт
24508 шт - склад
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
88 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
91 шт - РАДІОМАГ-Одеса
185 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
88 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
91 шт - РАДІОМАГ-Одеса
185 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 4.00 грн |
10+ | 3.60 грн |
100+ | 3.20 грн |
1000+ | 2.90 грн |
220uF 10V size-D 10% (TAJD227K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 46905
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-D
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-D
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
10+ | 17.90 грн |
100+ | 16.40 грн |