Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLML2502TRPBF IR/Infineon
IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF IR/Infineon

infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
Код товару: 25595
4 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR/Infineon
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 30 шт:
30 шт - склад
Кількість Ціна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLML2502TRPBF за ціною від 4.99 грн до 39.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : International Rectifier irlml2502pbf.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
63+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.97 грн
250+13.70 грн
1000+10.14 грн
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.62 грн
50+23.97 грн
250+13.70 грн
1000+10.14 грн
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : UMW infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLML2502_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlml2502pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : TYS infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : HOTTECH infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon (IRF) irlml2502gpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 45mΩ
Gate charge: 8nC
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
7 Додати до обраних Обраний товар
IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 9558 шт
7770 шт - склад
123 шт - РАДІОМАГ-Київ
357 шт - РАДІОМАГ-Львів
941 шт - РАДІОМАГ-Харків
367 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 97141 шт
82990 шт - склад
4851 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
3900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200000 шт
200000 шт - очікується 05.06.2026
Кількість Ціна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
7 Додати до обраних Обраний товар
irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 14862 шт
14610 шт - склад
197 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 103032 шт
99480 шт - склад
220 шт - РАДІОМАГ-Київ
2967 шт - РАДІОМАГ-Львів
365 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.