Продукція > INFINEON > IRLML2502TRPBF
IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF INFINEON

1912230.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.97 грн
250+13.70 грн
1000+10.14 грн
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML2502TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLML2502TRPBF за ціною від 6.72 грн до 39.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.52 грн
15+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.62 грн
50+23.97 грн
250+13.70 грн
1000+10.14 грн
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf IRLML2502TRPBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : UMW infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF
Код товару: 25595
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR/Infineon infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
1000+7.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLML2502_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF Виробник : Infineon (IRF) irlml2502gpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 45mΩ
Gate charge: 8nC
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.