IRLML2502TRPBF IR/Infineon
Код товару: 25595
Виробник: IR/InfineonКорпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 6609 шт:
6356 шт - склад
98 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.20 грн |
| 1000+ | 7.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2502TRPBF за ціною від 5.78 грн до 44.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
на замовлення 25505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V |
на замовлення 25505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl |
на замовлення 78143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 |
на замовлення 2688 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 986 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF |
IRLML2502TRPBF Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Виробник : UMW |
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 45mΩ Gate charge: 8nC Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10016 шт
7920 шт - склад
1085 шт - РАДІОМАГ-Київ
470 шт - РАДІОМАГ-Львів
541 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1085 шт - РАДІОМАГ-Київ
470 шт - РАДІОМАГ-Львів
541 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 104809 шт
92272 шт - склад
5950 шт - РАДІОМАГ-Київ
4007 шт - РАДІОМАГ-Львів
2580 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5950 шт - РАДІОМАГ-Київ
4007 шт - РАДІОМАГ-Львів
2580 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 282424 шт
280000 шт - склад
64 шт - РАДІОМАГ-Київ
2360 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
64 шт - РАДІОМАГ-Київ
2360 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5518 шт
5280 шт - склад
105 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
105 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 4.00 грн |
| 12+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| 220uF 10V size-D 10% (TAJD227K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 46905
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-D
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-D
у наявності: 4000 шт
3700 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 20.00 грн |
| 10+ | 17.90 грн |
| 100+ | 16.40 грн |







