на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9147+ | 1.34 грн |
180000+ | 1.23 грн |
360000+ | 1.15 грн |
540000+ | 1.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBT5551,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Можливі заміни PMBT5551,215 Nexperia
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT5551 Код товару: 200829 |
Виробник : Jingdao |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: SMD |
у наявності: 860 шт
860 шт - склад
|
|
|||||||||
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 20409 |
Виробник : NXP/Philips |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,3 A Монтаж: SMD |
у наявності: 2109 шт
1840 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Львів 80 шт - РАДІОМАГ-Харків 39 шт - РАДІОМАГ-Одеса 106 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції PMBT5551,215 за ціною від 1.38 грн до 35.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PMBT5551/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 38900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2112000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia | Транз. Бипол. ММ NPN SOT-23-3 Uceo=160V; Ic=-0,3A; f=300MHz; Pdmax=0,25W; hfemin=100 @ 100mA, 1V |
на замовлення 275 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBT5551.215 транзистор Код товару: 195313 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |