MMBT5551 Jingdao
Код товару: 200829
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Jingdao
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 1.40 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.64 грн |
| 1000+ | 0.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.41 грн до 4210.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT5551 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH |
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT5551 | MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDDкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT5551 | HOTTECH |
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 cкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT5551 | AnBon |
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | GOODWORK |
Description: SOT-23 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT5551 | DIOTEC |
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 TMMBT5551кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 |
на замовлення 203639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 |
на замовлення 377408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | MDD |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 |
на замовлення 504000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 374408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 41012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | EVVO |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT5551 | HY Electronic (Cayman) Limited |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN |
на замовлення 7415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MMBT5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MMBT5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MMBT5551 G1 | WEJ |
Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 14995 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MMBT5551 | FAIRCHILD |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 203639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MMBT5551 | Microdiode Electronics (MDD) |
Transistor Diode |
на замовлення 3771000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MMBT5551 G1 | N/A | SOT-23 05+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MMBT5551/G1 | MOTO |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5551G1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MMBT5551-G1 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MMBT5551(G1) |
на замовлення 7429 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.53 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1100+ | 0.57 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: HOTTECH
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.75 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: AnBon
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.79 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.95 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: GOODWORK
Description: SOT-23
Description: SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.23 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.30 грн |
| 6000+ | 1.10 грн |
| 9000+ | 1.02 грн |
| 15000+ | 0.88 грн |
| 21000+ | 0.84 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 TMMBT5551
кількість в упаковці: 500 шт
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 TMMBT5551
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.37 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.54 грн |
| 6000+ | 1.31 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.03 грн |
| 6000+ | 1.74 грн |
| 9000+ | 1.63 грн |
| 15000+ | 1.41 грн |
| 21000+ | 1.34 грн |
| 30000+ | 1.27 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
на замовлення 203639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5769+ | 3.73 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
на замовлення 377408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5769+ | 3.73 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: MDD
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 3.94 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3522+ | 4.04 грн |
| 4673+ | 3.05 грн |
| 6000+ | 2.54 грн |
| 9000+ | 2.24 грн |
| 15000+ | 1.83 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8696+ | 4.09 грн |
| 10000+ | 3.65 грн |
| 100000+ | 3.07 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 6.94 грн |
| 75+ | 4.01 грн |
| 121+ | 2.46 грн |
| 500+ | 1.65 грн |
| 1000+ | 1.44 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 6.94 грн |
| 100+ | 2.97 грн |
| 164+ | 1.82 грн |
| 500+ | 1.22 грн |
| 1000+ | 1.06 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 8.48 грн |
| 64+ | 4.68 грн |
| 104+ | 2.88 грн |
| 500+ | 1.95 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 41012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 10.03 грн |
| 49+ | 6.16 грн |
| 100+ | 3.77 грн |
| 500+ | 2.56 грн |
| 1000+ | 2.24 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: EVVO
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.88 грн |
| 36+ | 8.47 грн |
| 100+ | 5.26 грн |
| 500+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.16 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 1960.15 грн |
| 130+ | 197.93 грн |
| 218+ | 20.93 грн |
| 500+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| 3000+ | 1.30 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: HY Electronic (Cayman) Limited
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4210.84 грн |
| 100+ | 3084.61 грн |
| 1000+ | 2453.99 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 7415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5551 G1 |
Виробник: WEJ
Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 0.41 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 203639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8696+ | 4.09 грн |
| 10000+ | 3.65 грн |
| 100000+ | 3.07 грн |
| MMBT5551 |
![]() |
Виробник: Microdiode Electronics (MDD)
Transistor Diode
Transistor Diode
на замовлення 3771000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10345+ | 1.38 грн |
| 2430000+ | 1.26 грн |
| 3645000+ | 1.18 грн |
| MMBT5551 G1 |
Виробник: N/A
SOT-23 05+
SOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MMBT5551/G1 |
Виробник: MOTO
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
З цим товаром купують
| MMBT5401 Код товару: 160586
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 300 МГц
Напруга Uке, В: 160 В
Напруга Uкб, В: 180 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 300 МГц
Напруга Uке, В: 160 В
Напруга Uкб, В: 180 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
у наявності: 4 шт
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 5379 шт
- 489 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4890 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50000 шт
- 50000 шт - очікується 28.10.2026
на замовлення: 1957 шт
- 1957 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| AMS1117-3.3 Код товару: 87031
13
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 15 В
Напруга виходу Uout, В: 3,3 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,1 В
Тип виходу: Фіксований
Монтаж: SMD
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 15 В
Напруга виходу Uout, В: 3,3 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,1 В
Тип виходу: Фіксований
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 8000 шт
- 8000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |
| 100+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| 1N4148W Код товару: 176823
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JINGDAO
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 75 В
Iвипр., А: 0,15 А
Опис: Імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 75 В
Iвипр., А: 0,15 А
Опис: Імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 23+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| PMBT5401 Код товару: 1399
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 300 МГц
Напруга Uке, В: 150 В
Напруга Uкб, В: 160 В
Струм Iк, А: 0,3 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 240
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 300 МГц
Напруга Uке, В: 150 В
Напруга Uкб, В: 160 В
Струм Iк, А: 0,3 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 240
у наявності: 1 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20 грн |
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 10000+ | 0.90 грн |



















