Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551 Jingdao
MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Jingdao
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 2134 шт
  • 1952 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.40 грн до 3752.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551 GOODWORK GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 FUXINSEMI 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH TMMBT5551_CJ_CJ.pdf 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 MDD(Microdiode Electronics) TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.93 грн
6000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.27 грн
6000+1.08 грн
9000+1.01 грн
15000+0.87 грн
21000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.51 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.00 грн
6000+1.71 грн
9000+1.60 грн
15000+1.38 грн
21000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
6000+2.35 грн
9000+1.80 грн
15000+1.70 грн
21000+1.57 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5929+2.39 грн
6000+2.37 грн
9000+1.80 грн
15000+1.72 грн
21000+1.58 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 5929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 380908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.50 грн
4984+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.88 грн
134+2.24 грн
223+1.35 грн
500+0.88 грн
1000+0.75 грн
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.07 грн
10000+3.64 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.07 грн
10000+3.64 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
76+3.96 грн
124+2.42 грн
500+1.63 грн
1000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
103+2.92 грн
168+1.79 грн
500+1.20 грн
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
77+5.40 грн
128+3.26 грн
500+2.13 грн
1000+1.89 грн
3000+1.58 грн
6000+1.43 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
65+4.64 грн
106+2.83 грн
500+1.92 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+8.30 грн
54+5.95 грн
100+4.35 грн
500+3.45 грн
1000+2.97 грн
3000+2.28 грн
9000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
60+5.01 грн
100+3.09 грн
500+2.09 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+9.83 грн
130+6.22 грн
208+3.88 грн
500+2.63 грн
1000+2.12 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.83 грн
130+6.22 грн
208+3.88 грн
500+2.63 грн
1000+2.12 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.10 грн
50+6.06 грн
100+3.70 грн
500+2.52 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3752.54 грн
100+3011.29 грн
1000+2409.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1 WEJ Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1500+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10639+1.33 грн
60000+1.15 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Microdiode Electronics (MDD) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor Diode
на замовлення 4611000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.37 грн
2304000+1.26 грн
3456000+1.17 грн
4608000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1 N/A SOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551/G1 MOTO
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551G1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-G1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551(G1)
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
MMBT5551
Виробник: GOODWORK
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: FUXINSEMI
Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 TMMBT5551_CJ_CJ.pdf
MMBT5551
Виробник: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: HOTTECH
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: AnBon
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf
MMBT5551
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
MMBT5551
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.93 грн
6000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT555x.pdf
MMBT5551
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.27 грн
6000+1.08 грн
9000+1.01 грн
15000+0.87 грн
21000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
MMBT5551
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.51 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.00 грн
6000+1.71 грн
9000+1.60 грн
15000+1.38 грн
21000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.37 грн
6000+2.35 грн
9000+1.80 грн
15000+1.70 грн
21000+1.57 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5929+2.39 грн
6000+2.37 грн
9000+1.80 грн
15000+1.72 грн
21000+1.58 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 5929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf
MMBT5551
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 380908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5769+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBT5551
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5769+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4055+3.50 грн
4984+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1
MMBT5551
Виробник: MDD
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+3.88 грн
134+2.24 грн
223+1.35 грн
500+0.88 грн
1000+0.75 грн
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
MMBT5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8696+4.07 грн
10000+3.64 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
MMBT5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8696+4.07 грн
10000+3.64 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT555x.pdf
MMBT5551
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.99 грн
76+3.96 грн
124+2.42 грн
500+1.63 грн
1000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
MMBT5551
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.99 грн
103+2.92 грн
168+1.79 грн
500+1.20 грн
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.16 грн
77+5.40 грн
128+3.26 грн
500+2.13 грн
1000+1.89 грн
3000+1.58 грн
6000+1.43 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
MMBT5551
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.77 грн
65+4.64 грн
106+2.83 грн
500+1.92 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+8.30 грн
54+5.95 грн
100+4.35 грн
500+3.45 грн
1000+2.97 грн
3000+2.28 грн
9000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 5272_MMBT5551.pdf
MMBT5551
Виробник: EVVO
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.54 грн
60+5.01 грн
100+3.09 грн
500+2.09 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 4421943.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+9.83 грн
130+6.22 грн
208+3.88 грн
500+2.63 грн
1000+2.12 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 4421943.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.83 грн
130+6.22 грн
208+3.88 грн
500+2.63 грн
1000+2.12 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.10 грн
50+6.06 грн
100+3.70 грн
500+2.52 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551%20Rev-0.pdf
MMBT5551
Виробник: HY Electronic (Cayman) Limited
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3752.54 грн
100+3011.29 грн
1000+2409.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1
Виробник: WEJ
Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10639+1.33 грн
60000+1.15 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
Виробник: Microdiode Electronics (MDD)
Transistor Diode
на замовлення 4611000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10345+1.37 грн
2304000+1.26 грн
3456000+1.17 грн
4608000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1
Виробник: N/A
SOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551/G1
Виробник: MOTO
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551G1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-G1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551(G1)
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT5401
Код товару: 160586
Додати до обраних Обраний товар
mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, MHz: 300 MHz
Напруга Uке, V: 160 V
Напруга Uкб, V: 180 V
Струм Iк, A: 0,6 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
4 Додати до обраних Обраний товар
LL4148-D.PDF ll4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., V: 100 V
Iвипр., A: 0,2 A
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 57606 шт
  • 52356 шт - склад
  • 1422 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2086 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 164 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1578 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
40+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148W
Код товару: 176823
4 Додати до обраних Обраний товар
datasheet-1n4148w.pdf
1N4148W
Виробник: JINGDAO
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,15 A
Опис: Імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
товару немає в наявності
очікується: 150 шт
  • 150 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 270741 шт
  • 240390 шт - склад
  • 14451 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 300 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5401
Код товару: 1399
1 Додати до обраних Обраний товар
PMBT5401.pdf
PMBT5401
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, MHz: 300 MHz
Напруга Uке, V: 150 V
Напруга Uкб, V: 160 V
Струм Iк, A: 0,3 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 240
у наявності: 171 шт
  • 86 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.70 грн
10000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.