MMBT5551 Jingdao
Код товару: 200829
Виробник: JingdaoКорпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності 3240 шт:
2546 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Київ
154 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
148 шт - РАДІОМАГ-Одеса
92 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 1.40 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.64 грн |
| 1000+ | 0.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.40 грн до 26.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3L Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 241952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 398408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 206639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 12605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 206639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 395408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : MDD |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 504000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 241071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 241071 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : EVVO |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3L Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 5561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN |
на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MMBT5551 G1 | Виробник : WEJ |
Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDDкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : HOTTECH |
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 cкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : AnBon |
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : Microdiode Electronics |
Transistor Diode |
на замовлення 11343000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 Код товару: 160587
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Yangjie |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 300 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
NPN Transistor |
на замовлення 166665000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT5551-G1 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT5551(G1) |
на замовлення 7429 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH |
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MMBT5551/G1 | Виробник : MOTO |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : FUXINSEMI |
Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MMBT5551G1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 559 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MMBT5551 G1 | Виробник : N/A | SOT-23 05+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Frequency: 100...300MHz |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : LITEON |
|
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : EVVO |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MMBT5551 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| MMBT5401 Код товару: 160586
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності: 133 шт
22 шт - склад
66 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
66 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 69071 шт
57841 шт - склад
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
730 шт - РАДІОМАГ-Харків
1957 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
730 шт - РАДІОМАГ-Харків
1957 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| BZV55-C5V1 Код товару: 4297
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
у наявності: 3803 шт
3790 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
200 шт
200 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.08 грн |
| 240 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-240KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4400
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 240 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 240 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 4730 шт
2850 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
60 шт - РАДІОМАГ-Харків
1670 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
60 шт - РАДІОМАГ-Харків
1670 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 33 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-33KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4662
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 33 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 33 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 13520 шт
8820 шт - склад
4700 шт - РАДІОМАГ-Львів
4700 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |















