SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.32 грн |
| 6000+ | 11.26 грн |
| 9000+ | 10.45 грн |
| 30000+ | 9.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI2312BDS-T1-GE3 за ціною від 12.45 грн до 39.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V |
на замовлення 46684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V |
на замовлення 607228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2312BDS-T1-GE3 Код товару: 185656 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.9A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.48W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.9A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.48W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A |
товар відсутній |