на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 351+ | 35.21 грн |
| 442+ | 28.00 грн |
| 578+ | 21.39 грн |
| 1000+ | 17.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2312BDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI2312BDS-T1-GE3 за ціною від 11.72 грн до 65.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V |
на замовлення 581982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SI2312BDS-T1-GE3 Код товару: 185656
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.9A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 15A |
товару немає в наявності |