Продукція > SI2 > SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3


si2312bds.pdf
Код товару: 185656
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2312BDS-T1-GE3 за ціною від 11.31 грн до 59.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+39.70 грн
442+31.57 грн
578+24.11 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+57.55 грн
19+39.38 грн
100+31.32 грн
500+23.07 грн
1000+17.87 грн
3000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2312bds.pdf MOSFETs 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V
на замовлення 581982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.90 грн
10+36.70 грн
100+20.68 грн
500+15.89 грн
1000+14.29 грн
3000+12.28 грн
6000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312bds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312bds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.