Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2312BDS-T1-GE3
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2312bds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.87 грн
6000+13.16 грн
9000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2312BDS-T1-GE3 за ціною від 11.58 грн до 65.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+34.79 грн
442+27.66 грн
578+21.13 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+54.03 грн
19+36.98 грн
100+29.40 грн
500+21.66 грн
1000+16.78 грн
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2312bds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 16702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.79 грн
10+37.21 грн
100+24.09 грн
500+17.31 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2312bds.pdf MOSFETs 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V
на замовлення 581982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.76 грн
10+40.29 грн
100+22.70 грн
500+17.44 грн
1000+15.69 грн
3000+13.48 грн
6000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3
Код товару: 185656
Додати до обраних Обраний товар

si2312bds.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2312bds.pdf SI2312BDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.