SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI3443BDV-T1-E3 за ціною від 11.71 грн до 46.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V |
на замовлення 6318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 4.4A 2W |
на замовлення 159056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |