на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443BDV-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI3443BDV-T1-E3 за ціною від 8.12 грн до 80.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; 1.3W; TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: TSOP6 |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; 1.3W; TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: TSOP6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 4.4A 2W |
на замовлення 148889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V |
на замовлення 5652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|