SI3443BDV-T1-E3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 31.98 грн |
| 21+ | 20.36 грн |
| 25+ | 18.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443BDV-T1-E3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI3443BDV-T1-E3 за ціною від 14.87 грн до 63.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 20V 4.4A 2W |
на замовлення 148889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI3443BDV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 4.4A 2W
MOSFETs 20V 4.4A 2W
на замовлення 148889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.32 грн |
| 10+ | 43.69 грн |
| 100+ | 25.94 грн |
| 500+ | 21.64 грн |
| 1000+ | 18.40 грн |
| 3000+ | 14.87 грн |