Продукція > VISHAY > SI3443BDV-T1-E3
SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3 Vishay


72749.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443BDV-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI3443BDV-T1-E3 за ціною від 8.91 грн до 81.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72749.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.28 грн
25+17.93 грн
66+13.69 грн
182+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+25.77 грн
573+21.31 грн
660+18.50 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.74 грн
25+22.35 грн
66+16.43 грн
182+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+28.15 грн
26+24.04 грн
100+19.88 грн
500+16.65 грн
1000+14.44 грн
3000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 72749.pdf MOSFETs 20V 4.4A 2W
на замовлення 148889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.09 грн
10+45.60 грн
100+27.07 грн
500+22.59 грн
1000+19.20 грн
3000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72749.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.40 грн
10+45.98 грн
100+30.09 грн
500+21.80 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+81.18 грн
241+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.