| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 275+ | 53.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
275 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443BDV-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI3443BDV-T1-E3 за ціною від 30.77 грн до 89.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3443BDV-T1-E3 | Vishay |
  Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.1W Case: SC74; TSOP6 Mounting: SMD Pulsed drain current: -20A Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Drain current: -3.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.1Ω |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SI3443BDV-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 4.4A 2W |
на замовлення 77947 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI3443BDV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 74.26 грн |
| 15+ | 53.42 грн |
| 100+ | 38.24 грн |
| SI3443BDV-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.1W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -3.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.1Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.1W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -3.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 75.89 грн |
| SI3443BDV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 4.4A 2W
MOSFETs 20V 4.4A 2W
на замовлення 77947 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.53 грн |
| 10+ | 54.51 грн |
| 100+ | 36.11 грн |
| 3000+ | 30.77 грн |