Продукція > VISHAY > SI3443BDV-T1-E3
SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3 Vishay

72749.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
699+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 699
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443BDV-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI3443BDV-T1-E3 за ціною від 10.66 грн до 92.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+21.42 грн
38+20.01 грн
100+19.05 грн
500+16.69 грн
1000+15.07 грн
3000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY SI3443BDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.48 грн
21+20.04 грн
25+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 72749.pdf MOSFETs 20V 4.4A 2W
на замовлення 148889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.33 грн
10+43.01 грн
100+25.53 грн
500+21.30 грн
1000+18.11 грн
3000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+92.63 грн
241+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72749.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72749.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.