SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3 Vishay Siliconix


Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.61 грн
5000+ 22.57 грн
12500+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4936BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4936BDY-T1-E3 за ціною від 23.63 грн до 79.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.63 грн
10+ 46.89 грн
100+ 36.46 грн
500+ 29 грн
1000+ 23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4936bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
178+64.12 грн
189+ 60.45 грн
217+ 52.51 грн
228+ 48.3 грн
1000+ 40.93 грн
2000+ 37.38 грн
Мінімальне замовлення: 178
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
на замовлення 23821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.62 грн
10+ 64.6 грн
100+ 43.77 грн
500+ 37.08 грн
1000+ 30.19 грн
2500+ 28.35 грн
5000+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4936BDY-T1-E3
Код товару: 169655
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товар відсутній
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4936bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4936bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4936BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Power dissipation: 2.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6.9A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4936BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Power dissipation: 2.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6.9A
товар відсутній