на замовлення 22504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 111.10 грн |
| 10+ | 74.03 грн |
| 100+ | 44.72 грн |
| 500+ | 40.53 грн |
| 1000+ | 34.97 грн |
| 2500+ | 31.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4936BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4936BDY-T1-E3 за ціною від 80.63 грн до 137.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4936BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SI4936BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SI4936BDY-T1-E3 Код товару: 169655
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Транзисторні збірки |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
SI4936BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
SI4936BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SI4936BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 30A Drain current: 6.9A Gate charge: 15nC Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 51mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |