SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 22.33 грн |
| 19+ | 14.98 грн |
| 100+ | 7.55 грн |
| 500+ | 5.78 грн |
| 1000+ | 4.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N15AFU,LF за ціною від 2.86 грн до 23.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS |
на замовлення 203934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM6N15AFU,LF Код товару: 178546 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
товар відсутній |