Інші пропозиції SSM6N15AFU,LF за ціною від 3.10 грн до 28.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 38544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS |
на замовлення 238135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|




