
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.75 грн |
6000+ | 4.12 грн |
9000+ | 3.89 грн |
15000+ | 3.40 грн |
21000+ | 3.26 грн |
30000+ | 3.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N15AFU,LF за ціною від 2.80 грн до 23.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 424193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 38544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SSM6N15AFU,LF Код товару: 178546
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM6N15AFU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |