Інші пропозиції SSM6N15AFU,LF за ціною від 3.01 грн до 22.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM6N15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SSM6N15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 38544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SSM6N15AFU,LF | Toshiba |
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS |
на замовлення 238135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6N15AFU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.60 грн |
| 6000+ | 3.98 грн |
| 9000+ | 3.76 грн |
| 15000+ | 3.29 грн |
| 21000+ | 3.15 грн |
| 30000+ | 3.01 грн |
| SSM6N15AFU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.32 грн |
| 23+ | 12.97 грн |
| 100+ | 8.11 грн |
| 500+ | 5.62 грн |
| 1000+ | 4.97 грн |
| SSM6N15AFU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
на замовлення 238135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




