Інші пропозиції SSM6N15AFU,LF за ціною від 3.07 грн до 22.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6N15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 38544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM6N15AFU,LF | Toshiba |
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS |
на замовлення 238135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6N15AFU,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.68 грн |
| 6000+ | 4.06 грн |
| 9000+ | 3.83 грн |
| 15000+ | 3.35 грн |
| 21000+ | 3.21 грн |
| 30000+ | 3.07 грн |
| SSM6N15AFU,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.73 грн |
| 23+ | 13.21 грн |
| 100+ | 8.26 грн |
| 500+ | 5.72 грн |
| 1000+ | 5.07 грн |
| SSM6N15AFU,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
на замовлення 238135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)