AO3407A Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
на замовлення 639000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.10 грн |
| 6000+ | 6.20 грн |
| 9000+ | 5.88 грн |
| 15000+ | 5.17 грн |
| 21000+ | 4.97 грн |
| 30000+ | 4.78 грн |
| 75000+ | 4.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO3407A Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AO3407A за ціною від 1.60 грн до 32.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3407A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AO3407A | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.3A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 19144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AO3407A | Виробник : UMW |
Description: 30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AO3407A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AO3407A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V |
на замовлення 641556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AO3407A | Виробник : FUXINSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A SOT23 FUXINSEMI TAO3407a FUXкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| AO3407A | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A UMW TAO3407a UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| AO3407A | Виробник : Alpha&Omega Semiconductor |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 830 @ 15; Qg, нКл = 16 @ 10 В; Rds = 48 мОм @ 4,3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| AO3407A | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A UMW TAO3407a UMW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
AO3407A (транзистор) Код товару: 61322
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
AO3407A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
AO3407A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
AO3407A | Виробник : UMW |
Description: 30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |


