AO3419 JSMSEMI
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 110mOhm; 4,2A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3419 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3419 JSMICRO TAO3419 JSM
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO3419 JSMSEMI
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V.
Інші пропозиції AO3419 за ціною від 2.44 грн до 33.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO3419 | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3419 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3419 HXY MOSFET TAO3419 HXYкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AO3419 | ALPHA&OMEGA |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3419 TAO3419кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4370 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AO3419 | ALPHA&OMEGA |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3419 TAO3419кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO3419 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO3419 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; 900mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.1nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 17900 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO3419 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V |
на замовлення 115314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO3419 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3419 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3419 HXY MOSFET TAO3419 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3419 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3419 HXY MOSFET TAO3419 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.44 грн |
| AO3419 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3419 TAO3419
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3419 TAO3419
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.79 грн |
| AO3419 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3419 TAO3419
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3419 TAO3419
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.79 грн |
| AO3419 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.18 грн |
| 9000+ | 5.95 грн |
| AO3419 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; 900mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; 900mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 11.30 грн |
| 79+ | 5.42 грн |
| 100+ | 4.36 грн |
| 500+ | 4.05 грн |
| 3000+ | 3.78 грн |
| AO3419 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 115314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.23 грн |
| 16+ | 19.43 грн |
| 50+ | 14.06 грн |
| 100+ | 11.55 грн |
| 500+ | 8.63 грн |



