Інші пропозиції AO3423 за ціною від 4.65 грн до 31.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO3423 | ALPHA&OMEGA |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 166mOhm; 2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3423 TAO3423кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3423 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V |
на замовлення 47958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3423 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 900mW; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Gate charge: 3.2nC On-state resistance: 92mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3423 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V |
на замовлення 47958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO3423 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 166mOhm; 2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3423 TAO3423
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 166mOhm; 2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3423 TAO3423
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.03 грн |
| AO3423 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
на замовлення 47958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.93 грн |
| 6000+ | 6.05 грн |
| 9000+ | 5.73 грн |
| 15000+ | 5.04 грн |
| 21000+ | 4.84 грн |
| 30000+ | 4.65 грн |
| AO3423 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 900mW; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Gate charge: 3.2nC
On-state resistance: 92mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 900mW; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Gate charge: 3.2nC
On-state resistance: 92mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 12.79 грн |
| 70+ | 6.11 грн |
| 100+ | 5.34 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| AO3423 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
на замовлення 47958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.72 грн |
| 17+ | 18.78 грн |
| 100+ | 11.89 грн |
| 500+ | 8.34 грн |
| 1000+ | 7.43 грн |




